Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTN170P10P

IXTN170P10P

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
Mã sản phẩm
IXTN170P10P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarP™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
890W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
12 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
240nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
12600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10763 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTN170P10P
IXTN170P10P Linh kiện điện tử
IXTN170P10P Việc bán hàng
IXTN170P10P Nhà cung cấp
IXTN170P10P Nhà phân phối
IXTN170P10P Bảng dữ liệu
IXTN170P10P Ảnh
IXTN170P10P Giá
IXTN170P10P Lời đề nghị
IXTN170P10P Giá thấp nhất
IXTN170P10P Tìm kiếm
IXTN170P10P Thu mua
IXTN170P10P Chip