Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTP05N100P
MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
Mã sản phẩm
IXTP05N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
50W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
30 Ohm @ 250mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
8.1nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
196pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 27211 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTP05N100P
IXTP05N100P Linh kiện điện tử
IXTP05N100P Việc bán hàng
IXTP05N100P Nhà cung cấp
IXTP05N100P Nhà phân phối
IXTP05N100P Bảng dữ liệu
IXTP05N100P Ảnh
IXTP05N100P Giá
IXTP05N100P Lời đề nghị
IXTP05N100P Giá thấp nhất
IXTP05N100P Tìm kiếm
IXTP05N100P Thu mua
IXTP05N100P Chip