Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTP08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Mã sản phẩm
IXTP08N100D2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
60W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
14.6nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
-
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 39127 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTP08N100D2
IXTP08N100D2 Linh kiện điện tử
IXTP08N100D2 Việc bán hàng
IXTP08N100D2 Nhà cung cấp
IXTP08N100D2 Nhà phân phối
IXTP08N100D2 Bảng dữ liệu
IXTP08N100D2 Ảnh
IXTP08N100D2 Giá
IXTP08N100D2 Lời đề nghị
IXTP08N100D2 Giá thấp nhất
IXTP08N100D2 Tìm kiếm
IXTP08N100D2 Thu mua
IXTP08N100D2 Chip