Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTP1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
Mã sản phẩm
IXTP1N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
50W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
331pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 6378 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTP1N100P
IXTP1N100P Linh kiện điện tử
IXTP1N100P Việc bán hàng
IXTP1N100P Nhà cung cấp
IXTP1N100P Nhà phân phối
IXTP1N100P Bảng dữ liệu
IXTP1N100P Ảnh
IXTP1N100P Giá
IXTP1N100P Lời đề nghị
IXTP1N100P Giá thấp nhất
IXTP1N100P Tìm kiếm
IXTP1N100P Thu mua
IXTP1N100P Chip