Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTP2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
Mã sản phẩm
IXTP2N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
86W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
24.3nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
655pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48190 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTP2N100P
IXTP2N100P Linh kiện điện tử
IXTP2N100P Việc bán hàng
IXTP2N100P Nhà cung cấp
IXTP2N100P Nhà phân phối
IXTP2N100P Bảng dữ liệu
IXTP2N100P Ảnh
IXTP2N100P Giá
IXTP2N100P Lời đề nghị
IXTP2N100P Giá thấp nhất
IXTP2N100P Tìm kiếm
IXTP2N100P Thu mua
IXTP2N100P Chip