Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTP8N65X2M
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
Mã sản phẩm
IXTP8N65X2M
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220
Tản điện (Tối đa)
32W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
550 mOhm @ 4A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 38706 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTP8N65X2M
IXTP8N65X2M Linh kiện điện tử
IXTP8N65X2M Việc bán hàng
IXTP8N65X2M Nhà cung cấp
IXTP8N65X2M Nhà phân phối
IXTP8N65X2M Bảng dữ liệu
IXTP8N65X2M Ảnh
IXTP8N65X2M Giá
IXTP8N65X2M Lời đề nghị
IXTP8N65X2M Giá thấp nhất
IXTP8N65X2M Tìm kiếm
IXTP8N65X2M Thu mua
IXTP8N65X2M Chip