Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTR200N10P
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
Mã sản phẩm
IXTR200N10P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarP2™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
ISOPLUS247™
Gói thiết bị của nhà cung cấp
ISOPLUS247™
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8 mOhm @ 60A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 500µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
235nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42033 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTR200N10P
IXTR200N10P Linh kiện điện tử
IXTR200N10P Việc bán hàng
IXTR200N10P Nhà cung cấp
IXTR200N10P Nhà phân phối
IXTR200N10P Bảng dữ liệu
IXTR200N10P Ảnh
IXTR200N10P Giá
IXTR200N10P Lời đề nghị
IXTR200N10P Giá thấp nhất
IXTR200N10P Tìm kiếm
IXTR200N10P Thu mua
IXTR200N10P Chip