Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MKI50-12F7

MKI50-12F7

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
Mã sản phẩm
MKI50-12F7
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 125°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
E2
Sức mạnh tối đa
350W
Cấu hình
Full Bridge Inverter
Gói thiết bị của nhà cung cấp
E2
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
65A
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)
1200V
Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)
700µA
Loại IGBT
NPT
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic
3.8V @ 15V, 50A
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce
3.3nF @ 25V
Đầu vào
Standard
Điện trở nhiệt NTC
No
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11557 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của MKI50-12F7
MKI50-12F7 Linh kiện điện tử
MKI50-12F7 Việc bán hàng
MKI50-12F7 Nhà cung cấp
MKI50-12F7 Nhà phân phối
MKI50-12F7 Bảng dữ liệu
MKI50-12F7 Ảnh
MKI50-12F7 Giá
MKI50-12F7 Lời đề nghị
MKI50-12F7 Giá thấp nhất
MKI50-12F7 Tìm kiếm
MKI50-12F7 Thu mua
MKI50-12F7 Chip