Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN24N100F
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Mã sản phẩm
IXFN24N100F
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerRF™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
600W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
390 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
195nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
6600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 20367 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFN24N100F
IXFN24N100F Linh kiện điện tử
IXFN24N100F Việc bán hàng
IXFN24N100F Nhà cung cấp
IXFN24N100F Nhà phân phối
IXFN24N100F Bảng dữ liệu
IXFN24N100F Ảnh
IXFN24N100F Giá
IXFN24N100F Lời đề nghị
IXFN24N100F Giá thấp nhất
IXFN24N100F Tìm kiếm
IXFN24N100F Thu mua
IXFN24N100F Chip