Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN55N50F

IXFN55N50F

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Mã sản phẩm
IXFN55N50F
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerRF™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
600W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
195nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
6700pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31295 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFN55N50F
IXFN55N50F Linh kiện điện tử
IXFN55N50F Việc bán hàng
IXFN55N50F Nhà cung cấp
IXFN55N50F Nhà phân phối
IXFN55N50F Bảng dữ liệu
IXFN55N50F Ảnh
IXFN55N50F Giá
IXFN55N50F Lời đề nghị
IXFN55N50F Giá thấp nhất
IXFN55N50F Tìm kiếm
IXFN55N50F Thu mua
IXFN55N50F Chip