Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXRFSM12N100
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Mã sản phẩm
IXRFSM12N100
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
SMPD
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Gói thiết bị của nhà cung cấp
16-SMPD
Tản điện (Tối đa)
940W
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
77nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2875pF @ 800V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
15V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 32041 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXRFSM12N100
IXRFSM12N100 Linh kiện điện tử
IXRFSM12N100 Việc bán hàng
IXRFSM12N100 Nhà cung cấp
IXRFSM12N100 Nhà phân phối
IXRFSM12N100 Bảng dữ liệu
IXRFSM12N100 Ảnh
IXRFSM12N100 Giá
IXRFSM12N100 Lời đề nghị
IXRFSM12N100 Giá thấp nhất
IXRFSM12N100 Tìm kiếm
IXRFSM12N100 Thu mua
IXRFSM12N100 Chip