Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MCMN2012-TP

MCMN2012-TP

MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
Mã sản phẩm
MCMN2012-TP
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-WDFN Exposed Pad
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DFN2020-6J
Tản điện (Tối đa)
-
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
32nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 4V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.2V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 20712 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của MCMN2012-TP
MCMN2012-TP Linh kiện điện tử
MCMN2012-TP Việc bán hàng
MCMN2012-TP Nhà cung cấp
MCMN2012-TP Nhà phân phối
MCMN2012-TP Bảng dữ liệu
MCMN2012-TP Ảnh
MCMN2012-TP Giá
MCMN2012-TP Lời đề nghị
MCMN2012-TP Giá thấp nhất
MCMN2012-TP Tìm kiếm
MCMN2012-TP Thu mua
MCMN2012-TP Chip