Mua Microsemi Corporation 2003 TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

2003

TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT

Mã sản phẩm

2003

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Bulk

Nhiệt độ hoạt động

200°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

55BT-1

Sức mạnh tối đa

12W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

55BT-1

Loại bóng bán dẫn

NPN

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

500mA

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

50V

Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Tần số - Chuyển tiếp

2GHz

Hệ số tiếng ồn (loại dB @ f)

Nhận được

8.5dB

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 28963 PCS

Thông tin liên lạc