Mua Microsemi Corporation APTM100A23SCTG MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APTM100A23SCTG

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Mã sản phẩm

APTM100A23SCTG

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Bulk

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

SP4

Sức mạnh tối đa

694W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SP4

Loại FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Tính năng FET

Silicon Carbide (SiC)

Xả điện áp nguồn (Vdss)

1000V (1kV)

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

36A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

270 mOhm @ 18A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

5V @ 5mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

308nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

8700pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 30938 PCS

Thông tin liên lạc