Mua Microsemi Corporation APTM100U13SG MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Mã sản phẩm

APTM100U13SG

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Bulk

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

J3 Module

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Module

Tản điện (Tối đa)

1250W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

1000V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

65A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

145 mOhm @ 32.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 10mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

2000nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

31600pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 50299 PCS

Thông tin liên lạc