Mua Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

APTM10DHM09T3G

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Mã sản phẩm

APTM10DHM09T3G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

POWER MOS V®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Bulk

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

SP3

Sức mạnh tối đa

390W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SP3

Loại FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

139A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

10 mOhm @ 69.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 2.5mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

350nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 24204 PCS

Thông tin liên lạc