Mua Microsemi Corporation APTM120U10DAG MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APTM120U10DAG

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Mã sản phẩm

APTM120U10DAG

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Bulk

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

SP6

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SP6

Tản điện (Tối đa)

3290W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

1200V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

160A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

120 mOhm @ 58A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

5V @ 20mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

1100nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

28900pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 36983 PCS

Thông tin liên lạc