Mua Microsemi Corporation JAN1N1190 DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

JAN1N1190

DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

Mã sản phẩm

JAN1N1190

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Military, MIL-PRF-19500/297

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Bulk

Kiểu lắp

Chassis, Stud Mount

Gói / Thùng

DO-203AB, DO-5, Stud

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DO-5

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

35A

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.4V @ 110A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

10µA @ 600V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

600V

Tốc độ

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-65°C ~ 175°C

Điện dung @ Vr, F

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 22702 PCS

Thông tin liên lạc