Mua Microsemi Corporation JAN1N647-1 DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

JAN1N647-1

DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Mã sản phẩm

JAN1N647-1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Bulk

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

DO-204AH, DO-35, Axial

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DO-35

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

400mA

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1V @ 400mA

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

50nA @ 400V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

400V

Tốc độ

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-65°C ~ 175°C

Điện dung @ Vr, F

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 49467 PCS

Thông tin liên lạc