Mua Microsemi Corporation JANS1N3595US DIODE GEN PURP 200MA DO35

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

JANS1N3595US

DIODE GEN PURP 200MA DO35

Mã sản phẩm

JANS1N3595US

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Military, MIL-S-19500-241

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Bulk

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SQ-MELF, B

Gói thiết bị của nhà cung cấp

B, SQ-MELF

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

200mA (DC)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1V @ 200mA

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

1nA @ 125V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

Tốc độ

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Thời gian phục hồi ngược (trr)

3µs

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-65°C ~ 150°C

Điện dung @ Vr, F

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 17295 PCS

Thông tin liên lạc