Mua Microsemi Corporation MS1006 RF POWER TRANSISTOR

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

MS1006

RF POWER TRANSISTOR

Mã sản phẩm

MS1006

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Nhiệt độ hoạt động

200°C

Kiểu lắp

Stud Mount

Gói / Thùng

M135

Sức mạnh tối đa

127W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

M135

Loại bóng bán dẫn

NPN

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

3.25A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

55V

Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce

19 @ 1.4A, 6V

Tần số - Chuyển tiếp

30MHz

Hệ số tiếng ồn (loại dB @ f)

Nhận được

14dB

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 36961 PCS

Thông tin liên lạc