Mua Nexperia USA Inc. PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

PMDT290UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

Mã sản phẩm

PMDT290UNE,115

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Nexperia USA Inc.

Loạt

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-563, SOT-666

Sức mạnh tối đa

500mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-666

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

800mA

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

380 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

950mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

0.68nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

83pF @ 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 40872 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

PMDT290UCE,115

MOSFET N/P-CH 20V SOT666