Mua Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115 MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PMFPB8032XP,115

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Mã sản phẩm

PMFPB8032XP,115

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Nexperia USA Inc.

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-UDFN Exposed Pad

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DFN2020-6

Tản điện (Tối đa)

485mW (Ta), 6.25W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Schottky Diode (Isolated)

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

2.7A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

102 mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

8.6nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V

VSS (Tối đa)

±12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 15186 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

PMFPB6532UP,115

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118