Mua NXP USA Inc. PMFPB6532UP,115 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PMFPB6532UP,115

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

Mã sản phẩm

PMFPB6532UP,115

Nhà sản xuất/Thương hiệu

NXP USA Inc.

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-UDFN Exposed Pad

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DFN2020-6

Tản điện (Tối đa)

520mW (Ta), 8.3W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Schottky Diode (Isolated)

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

3.5A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

70 mOhm @ 1A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

6nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 36685 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

PMFPB6532UP,115

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118