Mua Nexperia USA Inc. PMXB350UPEZ MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PMXB350UPEZ

MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN

Mã sản phẩm

PMXB350UPEZ

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Nexperia USA Inc.

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

3-XDFN Exposed Pad

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DFN1010D-3

Tản điện (Tối đa)

360mW (Ta), 5.68W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

1.2A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

447 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

950mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

2.3nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

116pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.2V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 10736 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

PMXB120EPE

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN