PMXB56ENZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Mã sản phẩm
PMXB56ENZ
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
3-XDFN Exposed Pad
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DFN1010D-3
Tản điện (Tối đa)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
55 mOhm @ 3.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6.3nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
209pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46865 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của PMXB56ENZ
PMXB56ENZ Linh kiện điện tử
PMXB56ENZ Việc bán hàng
PMXB56ENZ Nhà cung cấp
PMXB56ENZ Nhà phân phối
PMXB56ENZ Bảng dữ liệu
PMXB56ENZ Ảnh
PMXB56ENZ Giá
PMXB56ENZ Lời đề nghị
PMXB56ENZ Giá thấp nhất
PMXB56ENZ Tìm kiếm
PMXB56ENZ Thu mua
PMXB56ENZ Chip