Mua Nexperia USA Inc. PMZB200UNEYL MOSFET N-CH 30V SOT883

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PMZB200UNEYL

MOSFET N-CH 30V SOT883

Mã sản phẩm

PMZB200UNEYL

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Nexperia USA Inc.

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

3-XFDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DFN1006B-3

Tản điện (Tối đa)

350mW (Ta), 6.25W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

1.4A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

250 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

950mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

2.7nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

89pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 24873 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883