Mua Nexperia USA Inc. PMZB370UNE,315 MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PMZB370UNE,315

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Mã sản phẩm

PMZB370UNE,315

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Nexperia USA Inc.

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

3-XFDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

3-DFN1006B (0.6x1)

Tản điện (Tối đa)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

900mA (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

490 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.05V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

1.16nC @ 15V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 23224 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883