Mua NXP USA Inc. PHB38N02LT,118 MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

PHB38N02LT,118

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

Mã sản phẩm

PHB38N02LT,118

Nhà sản xuất/Thương hiệu

NXP USA Inc.

Loạt

TrenchMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

D2PAK

Tản điện (Tối đa)

57.6W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

44.7A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

16 mOhm @ 25A, 5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

15.1nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 20V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

2.5V, 5V

VSS (Tối đa)

12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 54851 PCS

Thông tin liên lạc