Mua NXP USA Inc. PHD14NQ20T,118 MOSFET N-CH 200V 14A DPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

PHD14NQ20T,118

MOSFET N-CH 200V 14A DPAK

Mã sản phẩm

PHD14NQ20T,118

Nhà sản xuất/Thương hiệu

NXP USA Inc.

Loạt

TrenchMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DPAK

Tản điện (Tối đa)

125W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

200V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

14A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

230 mOhm @ 7A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

38nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 26551 PCS

Thông tin liên lạc