Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
PHD63NQ03LT,118
MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
Mã sản phẩm
PHD63NQ03LT,118
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DPAK
Tản điện (Tối đa)
111W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
68.9A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
13 mOhm @ 25A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
9.6nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23751 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của PHD63NQ03LT,118
PHD63NQ03LT,118 Linh kiện điện tử
PHD63NQ03LT,118 Việc bán hàng
PHD63NQ03LT,118 Nhà cung cấp
PHD63NQ03LT,118 Nhà phân phối
PHD63NQ03LT,118 Bảng dữ liệu
PHD63NQ03LT,118 Ảnh
PHD63NQ03LT,118 Giá
PHD63NQ03LT,118 Lời đề nghị
PHD63NQ03LT,118 Giá thấp nhất
PHD63NQ03LT,118 Tìm kiếm
PHD63NQ03LT,118 Thu mua
PHD63NQ03LT,118 Chip