Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Mã sản phẩm
BVSS123LT1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-23-3
Tản điện (Tối đa)
225mW (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.8V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 32747 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của BVSS123LT1G
BVSS123LT1G Linh kiện điện tử
BVSS123LT1G Việc bán hàng
BVSS123LT1G Nhà cung cấp
BVSS123LT1G Nhà phân phối
BVSS123LT1G Bảng dữ liệu
BVSS123LT1G Ảnh
BVSS123LT1G Giá
BVSS123LT1G Lời đề nghị
BVSS123LT1G Giá thấp nhất
BVSS123LT1G Tìm kiếm
BVSS123LT1G Thu mua
BVSS123LT1G Chip