Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FDB33N25TM

FDB33N25TM

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Mã sản phẩm
FDB33N25TM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
UniFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK
Tản điện (Tối đa)
235W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
250V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
48nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2135pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24979 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của FDB33N25TM
FDB33N25TM Linh kiện điện tử
FDB33N25TM Việc bán hàng
FDB33N25TM Nhà cung cấp
FDB33N25TM Nhà phân phối
FDB33N25TM Bảng dữ liệu
FDB33N25TM Ảnh
FDB33N25TM Giá
FDB33N25TM Lời đề nghị
FDB33N25TM Giá thấp nhất
FDB33N25TM Tìm kiếm
FDB33N25TM Thu mua
FDB33N25TM Chip