FDC021N30
PT8 N 30V/20V, MOSFET
Mã sản phẩm
FDC021N30
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PowerTrench®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SuperSOT™-6
Tản điện (Tối đa)
700mW (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10.8nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15666 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FDC021N30
FDC021N30 Linh kiện điện tử
FDC021N30 Việc bán hàng
FDC021N30 Nhà cung cấp
FDC021N30 Nhà phân phối
FDC021N30 Bảng dữ liệu
FDC021N30 Ảnh
FDC021N30 Giá
FDC021N30 Lời đề nghị
FDC021N30 Giá thấp nhất
FDC021N30 Tìm kiếm
FDC021N30 Thu mua
FDC021N30 Chip