Mua ON Semiconductor FDD3510H MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

FDD3510H

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Mã sản phẩm

FDD3510H

Nhà sản xuất/Thương hiệu

ON Semiconductor

Loạt

PowerTrench®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Sức mạnh tối đa

1.3W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-252-4L

Loại FET

N and P-Channel, Common Drain

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

80V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

4.3A, 2.8A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

80 mOhm @ 4.3A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

18nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 40V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 26422 PCS

Thông tin liên lạc