FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
Mã sản phẩm
FDG312P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PowerTrench®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SC-70-6
Tản điện (Tối đa)
750mW (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
5nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24184 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FDG312P
FDG312P Linh kiện điện tử
FDG312P Việc bán hàng
FDG312P Nhà cung cấp
FDG312P Nhà phân phối
FDG312P Bảng dữ liệu
FDG312P Ảnh
FDG312P Giá
FDG312P Lời đề nghị
FDG312P Giá thấp nhất
FDG312P Tìm kiếm
FDG312P Thu mua
FDG312P Chip