Mua ON Semiconductor FGA30N120FTDTU IGBT 1200V 60A 339W TO3P

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

FGA30N120FTDTU

IGBT 1200V 60A 339W TO3P

Mã sản phẩm

FGA30N120FTDTU

Nhà sản xuất/Thương hiệu

ON Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Kiểu đầu vào

Standard

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-3P-3, SC-65-3

Sức mạnh tối đa

339W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-3PN

Thời gian phục hồi ngược (trr)

730ns

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

60A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

1200V

Loại IGBT

Trench Field Stop

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Hiện tại - Collector Pulsed (Icm)

90A

Chuyển đổi năng lượng

Phụ trách cổng

208nC

Td (bật/tắt) @ 25°C

Điều kiện kiểm tra

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 19503 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

FGA3060ADF

IGBT 600V 60A 176W TO-3PN