Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQAF10N80

FQAF10N80

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
Mã sản phẩm
FQAF10N80
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
SC-94
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-3PF
Tản điện (Tối đa)
113W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.05 Ohm @ 3.35A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
71nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 17708 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của FQAF10N80
FQAF10N80 Linh kiện điện tử
FQAF10N80 Việc bán hàng
FQAF10N80 Nhà cung cấp
FQAF10N80 Nhà phân phối
FQAF10N80 Bảng dữ liệu
FQAF10N80 Ảnh
FQAF10N80 Giá
FQAF10N80 Lời đề nghị
FQAF10N80 Giá thấp nhất
FQAF10N80 Tìm kiếm
FQAF10N80 Thu mua
FQAF10N80 Chip