FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Mã sản phẩm
FQB33N10LTM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
3.75W (Ta), 127W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
40nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10382 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQB33N10LTM
FQB33N10LTM Linh kiện điện tử
FQB33N10LTM Việc bán hàng
FQB33N10LTM Nhà cung cấp
FQB33N10LTM Nhà phân phối
FQB33N10LTM Bảng dữ liệu
FQB33N10LTM Ảnh
FQB33N10LTM Giá
FQB33N10LTM Lời đề nghị
FQB33N10LTM Giá thấp nhất
FQB33N10LTM Tìm kiếm
FQB33N10LTM Thu mua
FQB33N10LTM Chip