Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQB3N80TM

FQB3N80TM

MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
Mã sản phẩm
FQB3N80TM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
-
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
19nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
690pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 6314 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của FQB3N80TM
FQB3N80TM Linh kiện điện tử
FQB3N80TM Việc bán hàng
FQB3N80TM Nhà cung cấp
FQB3N80TM Nhà phân phối
FQB3N80TM Bảng dữ liệu
FQB3N80TM Ảnh
FQB3N80TM Giá
FQB3N80TM Lời đề nghị
FQB3N80TM Giá thấp nhất
FQB3N80TM Tìm kiếm
FQB3N80TM Thu mua
FQB3N80TM Chip