FQD30N06TM
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
Mã sản phẩm
FQD30N06TM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252, (D-Pak)
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
22.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
45 mOhm @ 11.4A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
945pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40578 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD30N06TM
FQD30N06TM Linh kiện điện tử
FQD30N06TM Việc bán hàng
FQD30N06TM Nhà cung cấp
FQD30N06TM Nhà phân phối
FQD30N06TM Bảng dữ liệu
FQD30N06TM Ảnh
FQD30N06TM Giá
FQD30N06TM Lời đề nghị
FQD30N06TM Giá thấp nhất
FQD30N06TM Tìm kiếm
FQD30N06TM Thu mua
FQD30N06TM Chip