Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Mã sản phẩm
FQI4N80TU
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I2PAK (TO-262)
Tản điện (Tối đa)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10369 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQI4N80TU
FQI4N80TU Linh kiện điện tử
FQI4N80TU Việc bán hàng
FQI4N80TU Nhà cung cấp
FQI4N80TU Nhà phân phối
FQI4N80TU Bảng dữ liệu
FQI4N80TU Ảnh
FQI4N80TU Giá
FQI4N80TU Lời đề nghị
FQI4N80TU Giá thấp nhất
FQI4N80TU Tìm kiếm
FQI4N80TU Thu mua
FQI4N80TU Chip