Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQI9N50CTU

FQI9N50CTU

MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Mã sản phẩm
FQI9N50CTU
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I2PAK (TO-262)
Tản điện (Tối đa)
135W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
800 mOhm @ 4.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
35nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1030pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36289 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của FQI9N50CTU
FQI9N50CTU Linh kiện điện tử
FQI9N50CTU Việc bán hàng
FQI9N50CTU Nhà cung cấp
FQI9N50CTU Nhà phân phối
FQI9N50CTU Bảng dữ liệu
FQI9N50CTU Ảnh
FQI9N50CTU Giá
FQI9N50CTU Lời đề nghị
FQI9N50CTU Giá thấp nhất
FQI9N50CTU Tìm kiếm
FQI9N50CTU Thu mua
FQI9N50CTU Chip