HGT1S10N120BNST
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Mã sản phẩm
HGT1S10N120BNST
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Kiểu đầu vào
Standard
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Sức mạnh tối đa
298W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263AB
Thời gian phục hồi ngược (trr)
-
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
35A
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)
1200V
Loại IGBT
NPT
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Hiện tại - Collector Pulsed (Icm)
80A
Chuyển đổi năng lượng
320µJ (on), 800µJ (off)
Phụ trách cổng
100nC
Td (bật/tắt) @ 25°C
23ns/165ns
Điều kiện kiểm tra
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 8135 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST Linh kiện điện tử
HGT1S10N120BNST Việc bán hàng
HGT1S10N120BNST Nhà cung cấp
HGT1S10N120BNST Nhà phân phối
HGT1S10N120BNST Bảng dữ liệu
HGT1S10N120BNST Ảnh
HGT1S10N120BNST Giá
HGT1S10N120BNST Lời đề nghị
HGT1S10N120BNST Giá thấp nhất
HGT1S10N120BNST Tìm kiếm
HGT1S10N120BNST Thu mua
HGT1S10N120BNST Chip