Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MVB50P03HDLT4G
INTEGRATED CIRCUIT
Mã sản phẩm
MVB50P03HDLT4G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK-3
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
25 mOhm @ 25A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
100nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4.9nF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V
VSS (Tối đa)
±15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 9694 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của MVB50P03HDLT4G
MVB50P03HDLT4G Linh kiện điện tử
MVB50P03HDLT4G Việc bán hàng
MVB50P03HDLT4G Nhà cung cấp
MVB50P03HDLT4G Nhà phân phối
MVB50P03HDLT4G Bảng dữ liệu
MVB50P03HDLT4G Ảnh
MVB50P03HDLT4G Giá
MVB50P03HDLT4G Lời đề nghị
MVB50P03HDLT4G Giá thấp nhất
MVB50P03HDLT4G Tìm kiếm
MVB50P03HDLT4G Thu mua
MVB50P03HDLT4G Chip