Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NDD01N60-1G
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
Mã sản phẩm
NDD01N60-1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I-PAK
Tản điện (Tối đa)
46W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.7V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
7.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 8543 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NDD01N60-1G
NDD01N60-1G Linh kiện điện tử
NDD01N60-1G Việc bán hàng
NDD01N60-1G Nhà cung cấp
NDD01N60-1G Nhà phân phối
NDD01N60-1G Bảng dữ liệu
NDD01N60-1G Ảnh
NDD01N60-1G Giá
NDD01N60-1G Lời đề nghị
NDD01N60-1G Giá thấp nhất
NDD01N60-1G Tìm kiếm
NDD01N60-1G Thu mua
NDD01N60-1G Chip