Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NDD60N550U1-35G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
Mã sản phẩm
NDD60N550U1-35G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
IPAK (TO-251)
Tản điện (Tối đa)
94W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
550 mOhm @ 4A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40969 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NDD60N550U1-35G
NDD60N550U1-35G Linh kiện điện tử
NDD60N550U1-35G Việc bán hàng
NDD60N550U1-35G Nhà cung cấp
NDD60N550U1-35G Nhà phân phối
NDD60N550U1-35G Bảng dữ liệu
NDD60N550U1-35G Ảnh
NDD60N550U1-35G Giá
NDD60N550U1-35G Lời đề nghị
NDD60N550U1-35G Giá thấp nhất
NDD60N550U1-35G Tìm kiếm
NDD60N550U1-35G Thu mua
NDD60N550U1-35G Chip