NDT01N60T1G
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
Mã sản phẩm
NDT01N60T1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-261-4, TO-261AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-223 (TO-261)
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.7V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
7.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36713 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NDT01N60T1G
NDT01N60T1G Linh kiện điện tử
NDT01N60T1G Việc bán hàng
NDT01N60T1G Nhà cung cấp
NDT01N60T1G Nhà phân phối
NDT01N60T1G Bảng dữ liệu
NDT01N60T1G Ảnh
NDT01N60T1G Giá
NDT01N60T1G Lời đề nghị
NDT01N60T1G Giá thấp nhất
NDT01N60T1G Tìm kiếm
NDT01N60T1G Thu mua
NDT01N60T1G Chip