Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTB13N10G

NTB13N10G

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Mã sản phẩm
NTB13N10G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK
Tản điện (Tối đa)
64.7W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
165 mOhm @ 6.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
20nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12576 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của NTB13N10G
NTB13N10G Linh kiện điện tử
NTB13N10G Việc bán hàng
NTB13N10G Nhà cung cấp
NTB13N10G Nhà phân phối
NTB13N10G Bảng dữ liệu
NTB13N10G Ảnh
NTB13N10G Giá
NTB13N10G Lời đề nghị
NTB13N10G Giá thấp nhất
NTB13N10G Tìm kiếm
NTB13N10G Thu mua
NTB13N10G Chip