Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTD60N02R-35G

NTD60N02R-35G

MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Mã sản phẩm
NTD60N02R-35G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I-PAK
Tản điện (Tối đa)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
14nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31131 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của NTD60N02R-35G
NTD60N02R-35G Linh kiện điện tử
NTD60N02R-35G Việc bán hàng
NTD60N02R-35G Nhà cung cấp
NTD60N02R-35G Nhà phân phối
NTD60N02R-35G Bảng dữ liệu
NTD60N02R-35G Ảnh
NTD60N02R-35G Giá
NTD60N02R-35G Lời đề nghị
NTD60N02R-35G Giá thấp nhất
NTD60N02R-35G Tìm kiếm
NTD60N02R-35G Thu mua
NTD60N02R-35G Chip